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AT-30533-TR1G

AT-30533-TR1G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-30533-TR1G
PNEDA Teilenummer AT-30533-TR1G
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V SOT23
Hersteller Broadcom
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AT-30533-TR1G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-30533-TR1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-30533-TR1G, AT-30533-TR1G Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 109,15 KB)
PDFAT-30533-TR1G Datenblatt Cover
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AT-30533-TR1G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
Gewinn11dB ~ 13dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 2.7V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 11dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW

Lieferantengerätepaket

55FW

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

1.9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14.5dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M177

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