AT-42000-GP4
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| Teilenummer | AT-42000-GP4 |
| PNEDA Teilenummer | AT-42000-GP4 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP |
| Hersteller | Broadcom |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT-42000-GP4 Ressourcen
| Marke | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AT-42000-GP4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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AT-42000-GP4 Technische Daten
| Hersteller | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 14dB |
| Leistung - max | 600mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Chip |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.8dB ~ 8.9dB Leistung - max 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW-1 Lieferantengerätepaket 55AW-1 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
