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BFG 235 E6327

BFG 235 E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFG 235 E6327
PNEDA Teilenummer BFG-235-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 29 - Dez 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG 235 E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG 235 E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG 235 E6327, BFG 235 E6327 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 61,32 KB)
PDFBFG 235 E6327 Datenblatt Cover
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BFG 235 E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB @ 900MHz
Gewinn12.5dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 200mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)300mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketPG-SOT223-4

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

MRF448

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

250W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-11, Style 2

Lieferantengerätepaket

211-11, Style 2

BFR 340T E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SD1127

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

640mA

Betriebstemperatur

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