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BFG424W,115

BFG424W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG424W,115
PNEDA Teilenummer BFG424W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.178
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG424W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG424W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG424W, BFG424W Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 192,55 KB)
PDFBFG424W Datenblatt Cover
BFG424W Datenblatt Seite 2 BFG424W Datenblatt Seite 3 BFG424W Datenblatt Seite 4 BFG424W Datenblatt Seite 5 BFG424W Datenblatt Seite 6 BFG424W Datenblatt Seite 7 BFG424W Datenblatt Seite 8 BFG424W Datenblatt Seite 9 BFG424W Datenblatt Seite 10 BFG424W Datenblatt Seite 11

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BFG424W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn22dB
Leistung - max135mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

BFP193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

12dB ~ 18dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

1035MP

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 10.5dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

MS2392

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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