BFG424W,115
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| Teilenummer | BFG424W,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG424W-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG424W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG424W,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG424W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 25GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Gewinn | 22dB |
| Leistung - max | 135mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | CMPAK-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 900MHz Gewinn 9.7dB Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz Gewinn 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SMCP |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
