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BFG25AW/X,115

BFG25AW/X,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG25AW/X,115
PNEDA Teilenummer BFG25AW-X-115
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.950
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG25AW/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG25AW/X,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG25AW/X, BFG25AW/X Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 346,24 KB)
PDFBFG25AW/X Datenblatt Cover
BFG25AW/X Datenblatt Seite 2 BFG25AW/X Datenblatt Seite 3 BFG25AW/X Datenblatt Seite 4 BFG25AW/X Datenblatt Seite 5 BFG25AW/X Datenblatt Seite 6 BFG25AW/X Datenblatt Seite 7 BFG25AW/X Datenblatt Seite 8 BFG25AW/X Datenblatt Seite 9 BFG25AW/X Datenblatt Seite 10 BFG25AW/X Datenblatt Seite 11

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BFG25AW/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 500µA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.5mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343 Reverse Pinning
Lieferantengerätepaket4-SO

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

26.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Gewinn

16.9dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

135mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO

HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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