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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N5770_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.074
2N5770_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.028
2N5770_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.174
2N5770_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.118
2N918 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager15.438
2SA1748GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 50V 250MHZ SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 250MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager2.988
2SA1790GCL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 300MHZ SSMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 300MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz Gewinn: - Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3	Auf Lager29.868
2SA1977-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.014
2SA1977-T1B-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.626
2SA1978-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.370
2SA1978-T1B-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.714
2SC22950BL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 250MHZ MINI3-G1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 250MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager7.344
2SC24040CL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager7.794
2SC24040DL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager5.346
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 550MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager29.964
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 550MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager21.630
2SC27780CL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 230MHZ MINI3-G1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 230MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager22.956
2SC3356-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.950
2SC3356-T1B-R24-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager7.056
2SC3356-T1B-R25-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.560
2SC3357-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager6.192
2SC3357-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager6.876
2SC3357-T1-RF-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager8.910
2SC3583-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.106
2SC3583-T1B-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 13dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.932
2SC3585-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
2SC3585-T1B-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.190
2SC39300CL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 250MHZ SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 250MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager3.150
2SC39310CL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager2.502
2SC3931GCL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager3.582

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