Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 107/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SC5015-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager8.298
2SC501900L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz Gewinn: 7.5dB ~ 10dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1	Auf Lager3.618
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager7.038
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB ~ 17dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager23.124
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager47.898
2SC5066-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager4.662
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.064
2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager17.244
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager4.320
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11dB ~ 16.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager2.754
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager1.247.322
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager4.554
2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-61AA Lieferantengerätepaket: SMQ	Auf Lager14.274
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-61AA Lieferantengerätepaket: SMQ	Auf Lager28.608
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 13dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-61AA Lieferantengerätepaket: SMQ	Auf Lager3.060
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: USQ	Auf Lager5.292
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Gewinn: 13dB ~ 7dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager6.048
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Gewinn: 13dB ~ 7.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager2.232
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Gewinn: 1.4dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager2.682
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager3.204
2SC5226A-4-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager4.014
2SC5226A-5-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager4.716
2SC5227A-4-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager3.834
2SC5227A-5-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager2.160
2SC5231A-8-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager6.318
2SC5231A-9-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager4.374
2SC5245A-4-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager4.122
2SC5277A-2-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz Gewinn: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager6.732
2SC5336-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.218
2SC5336-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager7.632

«
‹
1
...
104
105
106
107 (current)
108
109
110
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message