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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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2SC5337-AZ

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 8.3dB
  • Leistung - max: 2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.022
2SC5338-AZ

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 1.8W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.516
2SC5338-T1-AZ

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 1.8W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager5.778
2SC5347AE-TD-E
2SC5347AE-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
  • Gewinn: 8dB
  • Leistung - max: 1.3W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager23.268
2SC5347AF-TD-E
2SC5347AF-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
  • Gewinn: 8dB
  • Leistung - max: 1.3W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager7.668
2SC5374A-TL-E
2SC5374A-TL-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 5.2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10.5dB @ 1GHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-75, SOT-416
  • Lieferantengerätepaket: SMCP
Auf Lager8.154
2SC5415AE-TD-E
2SC5415AE-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 800mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager8.694
2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 800mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager8.874
2SC5454-A
2SC5454-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 14.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.832
2SC5454-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 14.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager5.418
2SC5455-A
2SC5455-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.246
2SC5455-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager4.356
2SC5488A-TL-H
2SC5488A-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SSFP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SSFP
Auf Lager3.402
2SC5490A-TL-H
2SC5490A-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3SSFP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-81
  • Lieferantengerätepaket: 3-SSFP
Auf Lager5.274
2SC5501A-4-TR-E
2SC5501A-4-TR-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: 4-MCP
Auf Lager3.400
2SC5508-A
2SC5508-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 25GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
  • Gewinn: 19dB
  • Leistung - max: 115mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-343F
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.516
2SC5508-T2-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 25GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
  • Gewinn: 17dB
  • Leistung - max: 115mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-343F
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343F
Auf Lager4.806
2SC5509-A
2SC5509-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 15GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
  • Gewinn: 14dB
  • Leistung - max: 190mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-343F
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.906
2SC5509-T2-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 15GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
  • Gewinn: 14dB
  • Leistung - max: 190mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-343F
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager6.876
2SC5536A-TL-H
2SC5536A-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 1.7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
  • Gewinn: 16dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-81
  • Lieferantengerätepaket: 3-SSFP
Auf Lager6.678
2SC5551AE-TD-E
2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Frequenz - Übergang: 3.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 1.3W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager4.896
2SC5551AF-TD-E
2SC5551AF-TD-E

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Frequenz - Übergang: 3.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 1.3W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: PCP
Auf Lager3.042
2SC5606-A
2SC5606-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 21GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
  • Gewinn: 12.5dB
  • Leistung - max: 115mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.366
2SC5606-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.3V
  • Frequenz - Übergang: 21GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
  • Gewinn: 14dB
  • Leistung - max: 115mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager5.418
2SC563200L
2SC563200L

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SMini3-G1
Auf Lager21.666
2SC5632G0L
2SC5632G0L

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-F2

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-85
  • Lieferantengerätepaket: SMini3-F2
Auf Lager7.506
2SC5646A-TL-H
2SC5646A-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz ~ 12.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-81
  • Lieferantengerätepaket: 3-SSFP
Auf Lager6.246
2SC5750-A
2SC5750-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 15GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
  • Gewinn: 15dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.400
2SC5750-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 15GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
  • Gewinn: 15dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager4.734
2SC5751-A
2SC5751-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 15GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
  • Gewinn: 16dB
  • Leistung - max: 205mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-343F
  • Lieferantengerätepaket: -
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