2SC5551AF-TD-E
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| Teilenummer | 2SC5551AF-TD-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5551AF-TD-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC5551AF-TD-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5551AF-TD-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC5551AF-TD-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | 3.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 1.3W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PCP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
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