2SC5551AE-TD-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AF-TD-E
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 135 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
