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2SA1977-T1B-A

2SA1977-T1B-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA1977-T1B-A
PNEDA Teilenummer 2SA1977-T1B-A
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.626
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SA1977-T1B-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA1977-T1B-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SA1977-T1B-A, 2SA1977-T1B-A Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.433,78 KB)
PDF2SA1977-A Datenblatt Cover
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2SA1977-T1B-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

Gewinn

13dB ~ 22.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

KSC1674YBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

UTV080

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

28V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 10dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Channel, DIN Rail Mount

Paket / Fall

55JV

Lieferantengerätepaket

55JV

SD1853-02H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SD1275-01

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

Kürzlich verkauft

W25Q16JVZPIQ TR

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MPZ2012S300AT000

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