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2SC3356-T1B-R24-A

2SC3356-T1B-R24-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC3356-T1B-R24-A
PNEDA Teilenummer 2SC3356-T1B-R24-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Hersteller CEL
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2SC3356-T1B-R24-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC3356-T1B-R24-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC3356-T1B-R24-A, 2SC3356-T1B-R24-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 2.238,37 KB)
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2SC3356-T1B-R24-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Gewinn11.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

136MHz ~ 175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M111

Lieferantengerätepaket

M111

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

0204-125

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 8.5dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

80262

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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