Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
1014-6A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 7.5dB Leistung - max: 19W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LV Lieferantengerätepaket: 55LV	Auf Lager4.590
1015MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB ~ 11dB Leistung - max: 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW Lieferantengerätepaket: 55FW	Auf Lager6.354
1035MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB ~ 10.5dB Leistung - max: 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW-1 Lieferantengerätepaket: 55FW-1	Auf Lager4.644
10502 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 55SM Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 230°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55SM Lieferantengerätepaket: 55SM	Auf Lager7.686
1075MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB ~ 8.5dB Leistung - max: 250W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW-1 Lieferantengerätepaket: 55FW-1	Auf Lager6.714
1090MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.08dB ~ 8.5dB Leistung - max: 250W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW-1 Lieferantengerätepaket: 55FW-1	Auf Lager7.344
10A015 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 24V Frequenz - Übergang: 2.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB ~ 9.5dB Leistung - max: 6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager4.842
10A030 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 24V Frequenz - Übergang: 2.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.8dB ~ 8.5dB Leistung - max: 13W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager6.426
10A060 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 24V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 8.5dB Leistung - max: 21W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager3.222
1214-110M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.4dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager7.470
1214-150L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.15dB ~ 8.7dB Leistung - max: 320W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST-1 Lieferantengerätepaket: 55ST-1	Auf Lager3.096
1214-220M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.4dB Leistung - max: 700W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager7.884
1214-30 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager4.914
1214-300 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager5.616
1214-300M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager7.074
1214-32L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.8dB ~ 8.9dB Leistung - max: 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW-1 Lieferantengerätepaket: 55AW-1	Auf Lager8.028
1214-370M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.7dB ~ 9dB Leistung - max: 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager2.754
1214-55 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager4.068
1517-110M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1.48GHz ~ 1.65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.3dB ~ 8.6dB Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW-1 Lieferantengerätepaket: 55AW-1	Auf Lager6.498
1517-20M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.48GHz ~ 1.65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB ~ 9.3dB Leistung - max: 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LV-1 Lieferantengerätepaket: 55LV-1	Auf Lager2.178
15GN01CA-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager5.544
15GN01MA-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager3.420
15GN03CA-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz Gewinn: 13dB @ 0.4GHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager24.696
15GN03FA-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SSFP	Auf Lager6.642
15GN03MA-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz Gewinn: 13dB @ 0.4GHz Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager22.272
2001 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager8.082
2003 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 12W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT-1 Lieferantengerätepaket: 55BT-1	Auf Lager6.786
2223-1.7 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.952
2224-12LP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.016
2224-6L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 2.2GHz ~ 2.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 22W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.25A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LV Lieferantengerätepaket: 55LV	Auf Lager6.066

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