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Seite 103/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2224-6P Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.434
2225-4L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 2.2GHz ~ 2.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LV Lieferantengerätepaket: 55LV	Auf Lager4.734
2301 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Frequenz - Übergang: 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 5.6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager8.244
2304 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Frequenz - Übergang: 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 10.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager14.108
2307 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 42V Frequenz - Übergang: 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 20.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager6.012
2324-20 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 2.3GHz ~ 2.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 58W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 160mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager4.644
23A005 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Frequenz - Übergang: 4.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager4.374
23A008 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Frequenz - Übergang: 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager4.896
23A025 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Frequenz - Übergang: 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB ~ 6.3dB Leistung - max: 9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 420mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55BT Lieferantengerätepaket: 55BT	Auf Lager2.700
2731-200P Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 3.1GHZ MODULE Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: 2.7GHz ~ 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.7dB Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.598
2A5 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Frequenz - Übergang: 3.4GHz ~ 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 9dB Leistung - max: 5.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: 55ET Lieferantengerätepaket: 55ET	Auf Lager2.844
2A8 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 21V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 9dB Leistung - max: 5.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55EU Lieferantengerätepaket: 55EU	Auf Lager5.076
2N2857 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager4.140
2N2857 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF DIE RF TRANS NPN 15V Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.266
2N2857 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager23.202
2N2857UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager7.776
2N3663 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz Gewinn: 1.5dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.346
2N3866 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.894
2N3866A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager8.046
2N4427 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB @ 175MHz Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager5.760
2N4427 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager22.332
2N4957 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager651
2N4957UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager7.326
2N5031 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB @ 400MHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager6.282
2N5109 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 2.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager3.960
2N5109 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager25.038
2N5179 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 200MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager7.254
2N5179 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager8.232
2N5770 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.902
2N5770 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager37.794

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