23A008
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| Teilenummer | 23A008 |
| PNEDA Teilenummer | 23A008 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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23A008 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 23A008 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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23A008 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 22V |
| Frequenz - Übergang | 3.7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.5dB ~ 9.5dB |
| Leistung - max | 5W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 400mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55BT |
| Lieferantengerätepaket | 55BT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12.5dB Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
