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2A5

2A5

Nur als Referenz

Teilenummer 2A5
PNEDA Teilenummer 2A5
Beschreibung RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2A5 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2A5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2A5 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)22V
Frequenz - Übergang3.4GHz ~ 3.7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB ~ 9dB
Leistung - max5.3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypStud Mount
Paket / Fall55ET
Lieferantengerätepaket55ET

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BFR360FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

SD8268-21H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

CM4957

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

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