Transistoren

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XP0431300L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager7.236
XP0431400L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager6.714
XP0431500L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager7.344
XP0431600L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager5.580
XP0431N00L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager7.110
XP0438700L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager8.676
XP0611100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager8.082
XP0611300L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager6.012
XP0611500L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager3.222
XP0621000L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager6.444
XP0621100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager6.498
XP0621200L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager8.118
XP0621300L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager25.266
XP0621400L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager4.176
XP0621500L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager5.022
XP0621600L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SMINI6-G1	Auf Lager2.376
0105-50 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 100MHz ~ 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 10dB Leistung - max: 140W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55JT Lieferantengerätepaket: 55JT	Auf Lager3.420
0204-125 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 8.5dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55JT Lieferantengerätepaket: 55JT	Auf Lager189
0510-50A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 27V 1GHZ 55AV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 27V Frequenz - Übergang: 500MHz ~ 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.7A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AV Lieferantengerätepaket: 55AV	Auf Lager8.082
0910-150M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 890MHz ~ 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.1dB ~ 8.5dB Leistung - max: 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager3.186
0910-60M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 890MHz ~ 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 8.5dB Leistung - max: 180W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager4.986
0912-25 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 10dB Leistung - max: 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CT Lieferantengerätepaket: 55CT	Auf Lager5.850
0912-45 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9dB Leistung - max: 225W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CT Lieferantengerätepaket: 55CT	Auf Lager5.634
0912-7 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CX Lieferantengerätepaket: 55CX	Auf Lager7.560
1000MA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.364
1000MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.8dB Leistung - max: 5.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW Lieferantengerätepaket: 55FW	Auf Lager8.208
1002MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.24dB ~ 11dB Leistung - max: 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW-1 Lieferantengerätepaket: 55FW-1	Auf Lager7.848
1004MA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.402
1004MP Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 9dB Leistung - max: 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55FW-1 Lieferantengerätepaket: 55FW-1	Auf Lager5.994
1014-12 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.8dB Leistung - max: 39W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LT Lieferantengerätepaket: 55LT	Auf Lager7.578

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