0912-45
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| Teilenummer | 0912-45 |
| PNEDA Teilenummer | 0912-45 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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0912-45 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 0912-45 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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0912-45 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8dB ~ 9dB |
| Leistung - max | 225W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 300mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4.5A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55CT |
| Lieferantengerätepaket | 55CT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 100MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 28W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.5dB Leistung - max 300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Stud Mount Paket / Fall M135 Lieferantengerätepaket M135 |
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