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15GN01CA-TB-E

15GN01CA-TB-E

Nur als Referenz

Teilenummer 15GN01CA-TB-E
PNEDA Teilenummer 15GN01CA-TB-E
Beschreibung RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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15GN01CA-TB-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer15GN01CA-TB-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
15GN01CA-TB-E, 15GN01CA-TB-E Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 290,45 KB)
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15GN01CA-TB-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)8V
Frequenz - Übergang1.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-CP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

MS1006

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

127W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.25A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

START405TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

45mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

BFR340L3E6327XTMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

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