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2SA1748GRL

2SA1748GRL

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA1748GRL
PNEDA Teilenummer 2SA1748GRL
Beschreibung RF TRANS PNP 50V 250MHZ SMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2SA1748GRL Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA1748GRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SA1748GRL, 2SA1748GRL Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 275,87 KB)
PDF2SA1748GRL Datenblatt Cover
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2SA1748GRL Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Frequenz - Übergang250MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-85
LieferantengerätepaketSMini3-F2

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

43GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Gewinn

-

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

BFU520YX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

MS2201

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

0.95 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M220

Lieferantengerätepaket

M220

10A030

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.8dB ~ 8.5dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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14-SOIC

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RES 0.003 OHM 1% 1/2W 2010