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2N5770_D74Z

2N5770_D74Z

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5770_D74Z
PNEDA Teilenummer 2N5770_D74Z
Beschreibung RF TRANS NPN 15V TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N5770_D74Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5770_D74Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2N5770_D74Z, 2N5770_D74Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 295,86 KB)
PDF2N5770_D74Z Datenblatt Cover
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2N5770_D74Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
Gewinn15dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.5V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz

Gewinn

15dB ~ 22dB

Leistung - max

188mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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