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NGTB40N120L3WG
NGTB40N120L3WG

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 160A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
  • Leistung - max: 454W
  • Schaltenergie: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 220nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/150ns
  • Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 86ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager6.193
IXGX120N60A3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 200A 780W PLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 600A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
  • Leistung - max: 780W
  • Schaltenergie: 2.7mJ (on), 6.6mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 450nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 39ns/295ns
  • Testbedingung: 480V, 100A, 1.5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: PLUS247™-3
Auf Lager91
STGWA25H120DF2
STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 600µJ (on), 700µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 100nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/130ns
  • Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 303ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager3.407
IXGA48N60A3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 120A 300W TO263AA

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
  • Leistung - max: 300W
  • Schaltenergie: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 110nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/334ns
  • Testbedingung: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXGA)
Auf Lager4.438
AUIRGP4062D-E
AUIRGP4062D-E

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 24A 250W TO-247AD

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
  • Leistung - max: 250W
  • Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 50nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns
  • Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 89ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD
Auf Lager4.305
STGW25M120DF3
STGW25M120DF3

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 50A 375W

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 85nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/150ns
  • Testbedingung: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 265ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager445
FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 150A 455W TO-247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 455W
  • Schaltenergie: 3mJ (on), 750µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 123nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/86ns
  • Testbedingung: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 76ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager2
APT43GA90B
APT43GA90B

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 900V 78A 337W TO-247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 8™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 129A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 337W
  • Schaltenergie: 875µJ (on), 425µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 116nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/82ns
  • Testbedingung: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]
Auf Lager314
APT36GA60B
APT36GA60B

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 65A 290W TO-247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 8™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 109A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 290W
  • Schaltenergie: 307µJ (on), 254µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 102nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/122ns
  • Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]
Auf Lager379
NGTB60N65FL2WG
NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

650V/60A IGBT FSII

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 595W
  • Schaltenergie: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 318nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 117ns/265ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 96ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager5.533
IXBT16N170A

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1700V 16A 150W TO268

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: BIMOSFET™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
  • Leistung - max: 150W
  • Schaltenergie: 1.2mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 65nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/160ns
  • Testbedingung: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 360ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Lieferantengerätepaket: TO-268
Auf Lager210
IXXH60N65B4H1

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 116A 380W TO247AD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX4™, XPT™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 116A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 230A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 380W
  • Schaltenergie: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 95nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/145ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 150ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXXH)
Auf Lager6.009
IXGP20N120A3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 40A 180W TO220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 180W
  • Schaltenergie: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 50nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/290ns
  • Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager3.081
IKQ75N120CS6XKSA1
IKQ75N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 75A TO247-3-46

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: TrenchStop™
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 880W
  • Schaltenergie: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 530nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/300ns
  • Testbedingung: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 440ns
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-46
Auf Lager1.252
NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 100A 535W TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
  • Leistung - max: 535W
  • Schaltenergie: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 311nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 118ns/282ns
  • Testbedingung: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 256ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager851
IXGA20N120A3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 40A 180W TO263

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 180W
  • Schaltenergie: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 50nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/290ns
  • Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXGA)
Auf Lager471
AUIRGF65A40D0
AUIRGF65A40D0

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

DISCRETES

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: CooliRIGBT™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Leistung - max: -
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: -
  • Gate Charge: -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD
Auf Lager2.064
STGW60H65DRF
STGW60H65DRF

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 120A 420W TO247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 420W
  • Schaltenergie: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 217nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 85ns/178ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 19ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager1.140
STGWA80H65DFB
STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT BIPO 650V 80A TO247-3

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
  • Leistung - max: 469W
  • Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 414nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/280ns
  • Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 85ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads
Auf Lager4.304
STGW50HF60SD
STGW50HF60SD

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 110A 284W TO247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
  • Leistung - max: 284W
  • Schaltenergie: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 200nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/220ns
  • Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 67ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager158.551
STGW50HF60S
STGW50HF60S

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 110A 284W TO247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
  • Leistung - max: 284W
  • Schaltenergie: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 200nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/220ns
  • Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager151.426
STGWT60H60DLFB
STGWT60H60DLFB

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 626µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 306nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/160ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
Auf Lager4.458
FGB40N60SM
FGB40N60SM

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 80A 349W D2PAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • Leistung - max: 349W
  • Schaltenergie: 870µJ (on), 260µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 119nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/92ns
  • Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: TO-263AB (D²PAK)
Auf Lager60.917
IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 99A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A
  • Leistung - max: 350W
  • Schaltenergie: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 380nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/250ns
  • Testbedingung: 960V, 70A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 110ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-274AA
  • Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)
Auf Lager2.610
STGWA40H120DF2
STGWA40H120DF2

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

TRENCH GATE IGBT TO247 PKG

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
  • Leistung - max: 468W
  • Schaltenergie: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 158nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/152ns
  • Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 488ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager3.040
AUIRGP4062D
AUIRGP4062D

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 24A 250W TO-247AC

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
  • Leistung - max: 250W
  • Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 50nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns
  • Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 89ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AC
Auf Lager5.124
AUIRGF66524D0
AUIRGF66524D0

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 60A 214W TO-247AC

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
  • Leistung - max: 214W
  • Schaltenergie: 915µJ (on), 280µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 80nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/75ns
  • Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 176ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD
Auf Lager2.372
FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

650V/75 FAST IGBT FSIII T

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 152nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/208ns
  • Testbedingung: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 134ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-4
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-4L
Auf Lager1.241
AUIRGB4062D1
AUIRGB4062D1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 59A 246W TO-220AB

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 59A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
  • Leistung - max: 246W
  • Schaltenergie: 532µJ (on), 311µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 77nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19ns/90ns
  • Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 102ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager3.054
AIGW50N65F5XKSA1
AIGW50N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V TO247-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
  • IGBT-Typ: Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Leistung - max: 270W
  • Schaltenergie: 490µJ (on), 140µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 1018nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 21ns/156ns
  • Testbedingung: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3-41
Auf Lager2.073