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IXGP20N120A3

IXGP20N120A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP20N120A3
PNEDA Teilenummer IXGP20N120A3
Beschreibung IGBT 1200V 40A 180W TO220
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $40,1674
100 ---------- $38,2846
250 ---------- $36,4017
500 ---------- $34,5189
750 ---------- $32,9498
1.000 ---------- $31,3808
Auf Lager 3.081
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IXGP20N120A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP20N120A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP20N120A3, IXGP20N120A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 236,19 KB)
PDFIXGH20N120A3 Datenblatt Cover
IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 2 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 3 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 4 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 5 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 6

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IXGP20N120A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max180W
Schaltenergie2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/290ns
Testbedingung960V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 55A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/130ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

47W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

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-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

94W

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Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/142ns

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Reverse Recovery Time (trr)

102ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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