NGTB50N120FL2WG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NGTB50N120FL2WG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 100A 535W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 851 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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NGTB50N120FL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB50N120FL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB50N120FL2WG, NGTB50N120FL2WG Datenblatt
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NGTB50N120FL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 535W |
| Schaltenergie | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 311nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 118ns/282ns |
| Testbedingung | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 256ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 168W Schaltenergie 77µJ (on), 170µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/139ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
