DGTD65T60S2PT
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| Teilenummer | DGTD65T60S2PT |
| PNEDA Teilenummer | DGTD65T60S2PT |
| Beschreibung | IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DGTD65T60S2PT Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DGTD65T60S2PT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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DGTD65T60S2PT Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 428W |
| Schaltenergie | 920µJ (on), 530µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 95nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42ns/142ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 205ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A Leistung - max 200W Schaltenergie 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/500ns Testbedingung 800V, 25A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
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