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DGTD65T60S2PT

DGTD65T60S2PT

Nur als Referenz

Teilenummer DGTD65T60S2PT
PNEDA Teilenummer DGTD65T60S2PT
Beschreibung IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DGTD65T60S2PT Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDGTD65T60S2PT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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DGTD65T60S2PT Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 60A
Leistung - max428W
Schaltenergie920µJ (on), 530µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge95nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.42ns/142ns
Testbedingung400V, 60A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)205ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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IRGIB4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

62µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

RJH60M1DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 8A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

80µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

20.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/55ns

Testbedingung

300V, 8A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

1630W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/125ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

7.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

53.6W

Schaltenergie

50µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/128ns

Testbedingung

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/500ns

Testbedingung

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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