Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJH60M1DPP-M0#T2

RJH60M1DPP-M0#T2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60M1DPP-M0#T2
PNEDA Teilenummer RJH60M1DPP-M0-T2
Beschreibung IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.336
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJH60M1DPP-M0#T2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60M1DPP-M0#T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60M1DPP-M0#T2, RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 99,3 KB)
PDFRJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Cover
RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 2 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 3 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 4 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 5 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 6 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 7 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 8 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 9 RJH60M1DPP-M0#T2 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJH60M1DPP-M0#T2 Datasheet
  • where to find RJH60M1DPP-M0#T2
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJH60M1DPP-M0#T2
  • RJH60M1DPP-M0#T2 PDF Datasheet
  • RJH60M1DPP-M0#T2 Stock

  • RJH60M1DPP-M0#T2 Pinout
  • Datasheet RJH60M1DPP-M0#T2
  • RJH60M1DPP-M0#T2 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJH60M1DPP-M0#T2 Price
  • RJH60M1DPP-M0#T2 Distributor

RJH60M1DPP-M0#T2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 8A
Leistung - max30W
Schaltenergie80µJ (on), 90µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge20.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/55ns
Testbedingung300V, 8A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FL

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXBX55N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

335nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGB20NC60VT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 12A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

150mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/70ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS220™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

IRGPC40UD2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4PC40F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.81mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/240ns

Testbedingung

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

TLMY1000-GS08

TLMY1000-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED YELLOW 0603 SMD

BAS16

BAS16

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

NFM41CC223R2A3L

NFM41CC223R2A3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 100V 1806

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

BSS138-7-F

BSS138-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

2N6433

2N6433

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

IRAMX16UP60B-2

IRAMX16UP60B-2

Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

OD-850FHT

OD-850FHT

Opto Diode Corp

EMITTER IR 850NM 100MA TO-46