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IRGPC40UD2

IRGPC40UD2

Nur als Referenz

Teilenummer IRGPC40UD2
PNEDA Teilenummer IRGPC40UD2
Beschreibung IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.204
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IRGPC40UD2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGPC40UD2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGPC40UD2, IRGPC40UD2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 211,2 KB)
PDFIRGPC40UD2 Datenblatt Cover
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IRGPC40UD2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max160W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

AOK30B65M2

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.02mJ (on), 410µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/138ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

339ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

RJH65T47DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

520µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/190ns

Testbedingung

400V, 45A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IGC36T120T8LX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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