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IXBF32N300

IXBF32N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXBF32N300
PNEDA Teilenummer IXBF32N300
Beschreibung IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.862
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXBF32N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBF32N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBF32N300, IXBF32N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 196,23 KB)
PDFIXBF32N300 Datenblatt Cover
IXBF32N300 Datenblatt Seite 2 IXBF32N300 Datenblatt Seite 3 IXBF32N300 Datenblatt Seite 4 IXBF32N300 Datenblatt Seite 5

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IXBF32N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 32A
Leistung - max160W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.5µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

630A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IRG4BC20UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4PC40FD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

950µJ (on), 2.01mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/230ns

Testbedingung

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGP4620D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG8CH29K10D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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