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IRGR3B60KD2TRP

IRGR3B60KD2TRP

Nur als Referenz

Teilenummer IRGR3B60KD2TRP
PNEDA Teilenummer IRGR3B60KD2TRP
Beschreibung IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.940
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IRGR3B60KD2TRP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGR3B60KD2TRP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGR3B60KD2TRP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7.8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)15.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
Leistung - max52W
Schaltenergie62µJ (on), 39µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/110ns
Testbedingung400V, 3A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)77ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-Pak

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

95µJ (on), 115µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18.5ns/72ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 35A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

900µJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

960V, 35A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

APT75GN60B2DQ3G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

155A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2500µJ (on), 2140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

485nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/385ns

Testbedingung

400V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

1.44mJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

73ns/269ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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