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STGD5NB120SZT4

STGD5NB120SZT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD5NB120SZT4
PNEDA Teilenummer STGD5NB120SZT4
Beschreibung IGBT 1200V 10A 75W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD5NB120SZT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD5NB120SZT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD5NB120SZT4, STGD5NB120SZT4 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 395,13 KB)
PDFSTGD5NB120SZ-1 Datenblatt Cover
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STGD5NB120SZT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)10A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 5A
Leistung - max75W
Schaltenergie2.59mJ (on), 9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.690ns/12.1µs
Testbedingung960V, 5A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.85V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

850µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGA4060ADF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

1.37mJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16.8ns/54.4ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4PSC71KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/54ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

IRG4BC10SDPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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