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IKW75N60TFKSA1

IKW75N60TFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW75N60TFKSA1
PNEDA Teilenummer IKW75N60TFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $247,6407
50 ---------- $236,0325
100 ---------- $224,4244
200 ---------- $212,8162
400 ---------- $203,1428
500 ---------- $193,4693
Auf Lager 4.162
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IKW75N60TFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW75N60TFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW75N60TFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 75A
Leistung - max428W
Schaltenergie4.5mJ
EingabetypStandard
Gate Charge470nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.33ns/330ns
Testbedingung400V, 75A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)121ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

500µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/103ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.03mJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

174nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/77ns

Testbedingung

480V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGWT30HP65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

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