STGWT30HP65FB
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| Teilenummer | STGWT30HP65FB |
| PNEDA Teilenummer | STGWT30HP65FB |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 60A TO3P |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGWT30HP65FB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWT30HP65FB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWT30HP65FB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | HB |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 260W |
| Schaltenergie | 293µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 149nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/146ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 260.4W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/90ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 319W Schaltenergie 1.28mJ (on), 384µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22.4ns/73.6ns Testbedingung 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34.6ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 195W Schaltenergie 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/90ns Testbedingung 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
