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NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLBT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NGD18N45CLBT4G
PNEDA Teilenummer NGD18N45CLBT4G
Beschreibung IGBT 450V 18A DPAK
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 26.370
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGD18N45CLBT4G Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGD18N45CLBT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGD18N45CLBT4G, NGD18N45CLBT4G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 899,16 KB)
PDFNGD18N45CLBT4G Datenblatt Cover
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NGD18N45CLBT4G Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 4.5V, 7A
Leistung - max115W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.420ns/2.9µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

285W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

600µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/155ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

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