IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
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| Teilenummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 38W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFRED® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 76ns/815ns |
| Testbedingung | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
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Hersteller STMicroelectronics Serie * IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 625W Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 66ns/185ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 202ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket MAX247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 380µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/91ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 382µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max 235W Schaltenergie 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/54ns Testbedingung 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
