IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
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| Teilenummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 38W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFRED® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 76ns/815ns |
| Testbedingung | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A Leistung - max 962W Schaltenergie 6mJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 660nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/300ns Testbedingung 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max 235W Schaltenergie 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/54ns Testbedingung 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 382µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
