APT85GR120B2
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| Teilenummer | APT85GR120B2 |
| PNEDA Teilenummer | APT85GR120B2 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 170A 962W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.740 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT85GR120B2 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT85GR120B2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT85GR120B2 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 170A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 340A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Leistung - max | 962W |
| Schaltenergie | 6mJ (on), 3.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 660nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 43ns/300ns |
| Testbedingung | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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