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IXGP15N120B

IXGP15N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP15N120B
PNEDA Teilenummer IXGP15N120B
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
Hersteller IXYS
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IXGP15N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP15N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP15N120B, IXGP15N120B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 51,8 KB)
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IXGA15N120B Datenblatt Seite 2

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IXGP15N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.75mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge69nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

80µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/116ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

HGTG20N60B3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

475µJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

270µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/68ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

770µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

193nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/432ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

112ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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0467.750NR

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