RGT50NS65DGC9
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| Teilenummer | RGT50NS65DGC9 |
| PNEDA Teilenummer | RGT50NS65DGC9 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.958 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT50NS65DGC9 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT50NS65DGC9 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT50NS65DGC9 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 194W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/88ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max 370W Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/185ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/110ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max 198W Schaltenergie 1.9mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/580ns Testbedingung 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
