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IXYH50N65C3H1

IXYH50N65C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH50N65C3H1
PNEDA Teilenummer IXYH50N65C3H1
Beschreibung IGBT 650V 130A 600W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.892
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IXYH50N65C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH50N65C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH50N65C3H1, IXYH50N65C3H1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 244,11 KB)
PDFIXYH50N65C3H1 Datenblatt Cover
IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 2 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 3 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 4 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 5 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 6 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 7 IXYH50N65C3H1 Datenblatt Seite 8

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IXYH50N65C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 36A
Leistung - max600W
Schaltenergie1.3mJ (on), 370µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/80ns
Testbedingung400V, 36A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/300ns

Testbedingung

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

540µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/125ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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IGBT-Typ

-

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390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 5V, 14A

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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