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APT20GT60BRDQ1G

APT20GT60BRDQ1G

Nur als Referenz

Teilenummer APT20GT60BRDQ1G
PNEDA Teilenummer APT20GT60BRDQ1G
Beschreibung IGBT 600V 43A 174W TO247
Hersteller Microsemi
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APT20GT60BRDQ1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT20GT60BRDQ1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT20GT60BRDQ1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)43A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max174W
Schaltenergie215µJ (on), 245µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8ns/80ns
Testbedingung400V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

920µJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/142ns

Testbedingung

400V, 60A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

205ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.79mJ (on), 670µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXGF36N300

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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