FGH60N60SFDTU
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| Teilenummer | FGH60N60SFDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGH60N60SFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 378W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH60N60SFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH60N60SFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH60N60SFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 378W |
| Schaltenergie | 1.79mJ (on), 670µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 198nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/134ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 60A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.07mJ (on), 1.49mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 169nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 300ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A Leistung - max 417W Schaltenergie 1.5mJ (on), 460µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/237ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 94ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 144W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/75ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.53V @ 15V, 20A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 500nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/445ns Testbedingung 600V, 100A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
