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FGH75T65UPD

FGH75T65UPD FGH75T65UPD

Nur als Referenz

Teilenummer FGH75T65UPD
PNEDA Teilenummer FGH75T65UPD
Beschreibung IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGH75T65UPD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH75T65UPD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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FGH75T65UPD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 75A
Leistung - max375W
Schaltenergie2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge385nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/166ns
Testbedingung400V, 75A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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RGW00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

1.18mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/180ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGFW30NC60V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

IRG4BC20K-S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

150µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGP4266-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

450W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGP40N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

115µJ (on), 195µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/35ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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