STGW25H120F2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGW25H120F2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW25H120F2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 146 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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STGW25H120F2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW25H120F2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW25H120F2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 600µJ (on), 700µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/130ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 31A Leistung - max 150W Schaltenergie 6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/400ns Testbedingung 480V, 31A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 770µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 287nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 58ns/328ns Testbedingung 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 378W Schaltenergie 1.97mJ (on), 570µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/134ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
