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IXGH30N120IH

IXGH30N120IH

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH30N120IH
PNEDA Teilenummer IXGH30N120IH
Beschreibung IGBT 1200V 50A TO-247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.382
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IXGH30N120IH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH30N120IH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGH30N120IH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9.6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

430µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/180ns

Testbedingung

480V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

MGD623N

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/300ns

Testbedingung

300V, 50A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.45mJ (on), 1.55mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

285nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/315ns

Testbedingung

600V, 40A, 9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

255ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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