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IXSH10N60B2D1

IXSH10N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH10N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXSH10N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 20A 100W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.852
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXSH10N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH10N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH10N60B2D1, IXSH10N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 511,02 KB)
PDFIXSH10N60B2D1 Datenblatt Cover
IXSH10N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXSH10N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXSH10N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXSH10N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXSH10N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXSH10N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max100W
Schaltenergie430µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/180ns
Testbedingung480V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

720V, 28A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

APT50GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

445nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/237ns

Testbedingung

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGI4090PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.94V @ 15V, 30A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/99ns

Testbedingung

240V, 11A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

714W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

610nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

400V, 100A, 3.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

225ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

AUIRGF76524D0

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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