DGTD65T50S1PT
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| Teilenummer | DGTD65T50S1PT |
| PNEDA Teilenummer | DGTD65T50S1PT |
| Beschreibung | IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.730 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DGTD65T50S1PT Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DGTD65T50S1PT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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DGTD65T50S1PT Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 770µJ (on), 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 287nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 58ns/328ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
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