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SGS10N60RUFTU

SGS10N60RUFTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGS10N60RUFTU
PNEDA Teilenummer SGS10N60RUFTU
Beschreibung IGBT 600V 16A 55W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGS10N60RUFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGS10N60RUFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGS10N60RUFTU, SGS10N60RUFTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 567,11 KB)
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SGS10N60RUFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 10A
Leistung - max55W
Schaltenergie141µJ (on), 215µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/36ns
Testbedingung300V, 10A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT75GN120B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

833W

Schaltenergie

8045µJ (on), 7640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/620ns

Testbedingung

800V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IKZ50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

410µJ (on), 190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

145A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

4.9mJ (on), 1.95mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/160ns

Testbedingung

960V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

SGS13N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/70ns

Testbedingung

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

SGW20N60HSFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/207ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

NCN8025AMNTXG

NCN8025AMNTXG

ON Semiconductor

IC SMART CARD IC2 24-QFN

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

74ACT04SC

74ACT04SC

ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

S14100038

S14100038

Wurth Electronics

CMC 560UH 20A 2LN TH

MC33074DR2G

MC33074DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

FDV301N

FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

NC7SZ08M5X

NC7SZ08M5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5

LTC6102HVIMS8#TRPBF

LTC6102HVIMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 8MSOP

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312