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IXGR32N170AH1

IXGR32N170AH1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR32N170AH1
PNEDA Teilenummer IXGR32N170AH1
Beschreibung IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.078
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IXGR32N170AH1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR32N170AH1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR32N170AH1, IXGR32N170AH1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 522,9 KB)
PDFIXGR32N170AH1 Datenblatt Cover
IXGR32N170AH1 Datenblatt Seite 2

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IXGR32N170AH1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 21A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/260ns
Testbedingung1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)230ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Leistung - max

81W

Schaltenergie

760µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/143ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1100V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 55A

Leistung - max

227.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

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650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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