HGT1S7N60A4DS
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| Teilenummer | HGT1S7N60A4DS |
| PNEDA Teilenummer | HGT1S7N60A4DS |
| Beschreibung | IGBT 600V 34A 125W TO263AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGT1S7N60A4DS Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGT1S7N60A4DS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGT1S7N60A4DS Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 34A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 37nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 11ns/100ns |
| Testbedingung | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 192A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 48A Leistung - max 330W Schaltenergie 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/160ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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