Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGT1S7N60A4DS Datenblatt

HGT1S7N60A4DS Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 193,73 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 1
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 2
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 3
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 4
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 5
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 6
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 7
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 8
HGT1S7N60A4DS Datenblatt Seite 9
HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB