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IKW50N60TAFKSA1

IKW50N60TAFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW50N60TAFKSA1
PNEDA Teilenummer IKW50N60TAFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 80A 333W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKW50N60TAFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW50N60TAFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW50N60TAFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Leistung - max333W
Schaltenergie2.6mJ
EingabetypStandard
Gate Charge310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/299ns
Testbedingung400V, 50A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)143ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

1.76mJ (on), 362µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/260ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

319ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGP14N60D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

95W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/165ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

AOTF5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

600µJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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